Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 mA, 600 Ω, 0.65 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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梱包形態
RS品番:
753-2832
メーカー型番:
BSS127H6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

500mW

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.65nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

1.3mm

規格 / 承認

No

長さ

2.9mm

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン SIPMOS シリーズ MOSFET、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 21mA - BSS127H6327XTSA2


このMOSFETは、コンパクト電子システムにおける表面実装スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。過酷な環境で幅広い温度範囲で動作し、制御されたゲートドライブ特性を備えた堅牢な小型デバイスが必要な用途に適しています。

特長:


• 600Vのドレイン-ソース間耐圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 0.65nCの標準ゲート電荷により高速で低損失スイッチングを実現
• 600Ωの最大RDS(on)により高電圧回路でのオフ状態漏洩を低減
• 低電流制御機能に適した21mAの連続ドレイン電流
• 最大500mWの許容電力により、コンパクトなレイアウトにおける熱負荷を抑制
• 20VのVGS定格により一般的なゲートドライブ電圧との互換性を確保

用途


• 高電圧電力変換トポロジーに最適
• 自動車グレードのセンサーと補助回路に最適
• コンパクトスイッチングレギュレータとフライバックステージに使用
• 保護回路におけるゲートレベル信号変換に使用可能
• 小型フォームファクター電源管理モジュールに最適

基板アセンブリには、どのようなパッケージと取付方式を使用しますか?


表面実装およびリフローはんだ付けを目的としたSOT-23パッケージで提供されます。

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスは、-55°C~150°Cの温度範囲で動作するように設計され、過酷な環境でも幅広い熱出力をサポートします。

回路統合用の電気接続はいくつありますか?


このコンポーネントは標準的なディスクリートMOSFETレイアウトと互換性のある3ピン構成を採用しています。

このデバイスは、車載用途に対応していますか?


AEC-Q101規格に適合し、自動車用電子機器用途に最適です。

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