Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BSS127H6327XTSA2

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥980.00

(税抜)

￥1,078.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥39.20￥980
150 - 1350￥34.76￥869
1375 - 1725￥29.60￥740
1750 - 2225￥24.36￥609
2250 +￥19.96￥499

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
753-2832
メーカー型番:
BSS127H6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.65nC

最大許容損失Pd

500mW

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

1.3 mm

高さ

1mm

長さ

2.9mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ