Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A N, 表面, 22-Pin パッケージHDSOP, IPDQ60R010S7XTMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥3,138.00

(税抜)

￥3,451.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 24￥3,138
25 - 224￥2,975
225 - 299￥2,802
300 - 599￥2,638
600 +￥2,464

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
225-0580
メーカー型番:
IPDQ60R010S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPDQ60R010S7

パッケージ型式

HDSOP

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

318nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.82V

最大許容損失Pd

694W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

2.35 mm

長さ

15.1mm

高さ

21.06mm

自動車規格

なし

Infineon IPDQ60R010S7はNチャンネルパワーMOSFETで、低周波スイッチング用途に最適な性能を発揮します。このMOSFETはスタティックスイッチングや大電流アプリケーションに最適化されています。ソリッドステートリレーや回路ブレーカの設計、SMPSやインバータトポロジにおけるライナー整流に最適です。

導通損失を最小限に抑える

エネルギー効率を向上

コンパクトで使いやすい設計

ソリッドステート設計でヒートシンクを除去又は削減

関連ページ