Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 375 A N, 表面 パッケージHDSOP

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1500 - 6750￥880.707￥660,530
7500 - 10500￥866.261￥649,696
11250 - 14250￥851.804￥638,853
15000 +￥837.345￥628,009

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RS品番:
260-1199
メーカー型番:
IPDQ60R022S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

375A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

HDSOP

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

416W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、低周波スイッチング用途に最適な価格パフォーマンスを実現します。CoolMOS S7は、HV SJ MOSFETのRdson値が最も低く、エネルギー効率が優れています。CoolMOS S7は、「静的スイッチング」及び高電流用途向けに最適化されています。ソリッドステートリレーや回路ブレーカ設計、SMPSやインバータトポロジのライン整流に最適です。

高パルス電流容量

システムパフォーマンスの向上

よりコンパクトで簡単な設計

長寿命でBOM及び/又はTCOを低減

耐衝撃性及び耐振性

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