STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

RS品番:: 225-0671
メーカー型番:: STD9N60M6
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥320,145.00

￥352,160.00

￥3,000円を超える注文については、送料無料

一時的に在庫切れ

本日発注の場合は 2026年4月27日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥128.058	￥320,145
5000 - 22500	￥126.887	￥317,218
25000 - 35000	￥126.45	￥316,125
37500 - 47500	￥126.034	￥315,085
50000 +	￥125.609	￥314,023

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 225-0671
メーカー型番:: STD9N60M6
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	750mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	順方向電圧 Vf	1.6V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10nC
	最大許容損失Pd	76W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	順方向電圧 Vf 1.6V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC
	最大許容損失Pd 76W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - STMicroelectronics_STD9N60M6.pdf

STMicroelectronicsの新しいMDmesh M6 テクノロジーは、よく知られたMDmeshファミリーのSJ MOSFETに最新の進歩を取り入れています。STMicroelectronicsは、前世代のMDmeshデバイスをベースに、単位面積当たりの優れたRDS（on）改善と最も効率的なスイッチング動作の1つを組み合わせた新しいM6テクノロジーを採用し、最終使用効率を最大限に高めるユーザーフレンドリーな体験を実現しています。

スイッチング損失の低減

単位面積あたりのRDS(on)を前世代より低減

低ゲート入力抵抗

100 %アバランシェテスト済み

ツェナプロテクト