型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 13 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

RS品番:: 225-9915
メーカー型番:: SIHP15N80AEF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 13 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥13,147.00

￥14,461.50

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個	単価	1チューブあたりの価格*
50 - 200	￥262.94	￥13,147
250 - 450	￥259.32	￥12,966
500 - 1200	￥252.10	￥12,605
1250 - 2450	￥246.12	￥12,306
2500 +	￥240.10	￥12,005

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RS品番:: 225-9915
メーカー型番:: SIHP15N80AEF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	EF
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	350mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	54nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	156W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	6.71mm
	規格 / 承認	No
	幅	4.65 mm
	長さ	10.52mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 13A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ EF
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 350mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 156W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 6.71mm
	規格 / 承認 No
	幅 4.65 mm
	長さ 10.52mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIHP15N80AEF-GE3

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 13 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

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