Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 11.5 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQ7415CENW-T1_GE3
- RS品番:
- 225-9934
- メーカー型番:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋25個入り) 小計:*
¥3,252.00
(税抜)
¥3,577.25
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 11,650 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | ¥130.08 | ¥3,252 |
| 150 - 1350 | ¥114.16 | ¥2,854 |
| 1375 - 1725 | ¥97.28 | ¥2,432 |
| 1750 - 2225 | ¥81.40 | ¥2,035 |
| 2250 + | ¥65.52 | ¥1,638 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 225-9934
- メーカー型番:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | P-Channel 60-V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 136mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 53W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | -0.85V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 11.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ P-Channel 60-V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 136mΩ | ||
最大許容損失Pd 53W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22.5nC | ||
順方向電圧 Vf -0.85V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
幅 3.3 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。
TrenchFET パワー MOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み
関連ページ
- Vishay MOSFET 11.5 A 8-Pin パッケージPowerPAK 1212
- Vishay MOSFET 5.7 A 8-Pin エンハンスメント型, SI7415DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8
- Vishay MOSFET 16 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS484CENW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQSA70CENW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS660CENW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay MOSFET 18 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS414CENW-T1_GE3
