Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 18 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージPowerPak 1212-8W, SQSA70CENW-T1_GE3
- RS品番:
- 228-2972
- メーカー型番:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2972
- メーカー型番:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | PowerPak 1212-8W | |
| シリーズ | SQSA70CENW | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 68.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 3.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 PowerPak 1212-8W | ||
シリーズ SQSA70CENW | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 68.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 3.3mm | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 3.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay SQSA70CENWシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧150 V、最大連続ドレイン電流18 A - SQSA70CENW-T1_GE3
このMOSFETは、要求の厳しい自動車および産業用制御環境での基板実装向けに設計された高電圧Nチャンネル電源デバイスです。高ドレインソース電圧容量と低ゲート電荷が必要なスイッチングおよび負荷制御機能をサポートし、自動車用ストレスおよび表面実装アセンブリのニーズを満たすように設計されています。
特長：
• 150 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング容量を実現 • 18 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理をサポート • 68.5 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制 • 8 nC標準ゲート充電により、スイッチングエネルギーとドライブ要件を低減 • 62.5 Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現 • 最高動作温度175°Cにより、高い環境使用を実現
用途
• AEC‐Q101認定を必要とする自動車配電モジュールに最適 • 産業オートメーションシステムのDC-DCコンバータに最適 • コンパクトな電子機器アセンブリのモータ制御スイッチングに使用 • バッテリ管理および電源パス制御回路に使用可能
統合にはどのような取り付け方法が必要ですか?
基板実装用に表面実装PowerPAK 1212-8Wパッケージで提供され、コンパクトな基板レイアウトと自動配置を容易にします。
ドライブ設計時には、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、ゲートダイエレクトリックの過負荷を避けるため、20 Vを超えるゲートソース電圧にさらされないでください。
熱性能は、冷却要件にどのように影響しますか?
最大消費電力62.5 Wと175 °Cの高い動作天井により、基板およびヒートシンクの戦略は、連続動作のためにジャンクション温度を安全な範囲内に保つためにサイズを設定する必要があります。
耐性の高い環境温度範囲は?
-55°C～175°Cまでの幅広い温度範囲で動作し、コールドスタートと高熱シナリオの両方で使用できます。
どのような特性により、スイッチング損失を削減できますか?
8 nCのゲート電荷と低オン抵抗の組み合わせにより、高周波用途でのスイッチング損失と伝導損失を低減します。
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