Vishay MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 18 A, 68.5 mΩ, 8 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPak 1212-8W

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梱包形態
RS品番:
228-2972
メーカー型番:
SQSA70CENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

SQSA70CENW

パッケージ型式

PowerPak 1212-8W

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

68.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

850mV

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

3.3mm

長さ

3.3mm

幅

3.3mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay SQSA70CENWシリーズMOSFET、150Vドレインソース電圧、18A連続ドレイン電流 - SQSA70CENW-T1_GE3


このMOSFETは、基板実装システムの高電圧、高電流用途向けに設計された電力スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲でのスイッチングおよび電源管理に適したNチャンネル強化デバイスとして動作し、狭い基板レイアウトに適したコンパクトなSMDパッケージで提供されます。

特長:


• 150V ドレイン機能により高電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 18A により、大きな負荷に対応
• 68.5 mΩ RDS(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 8 nCの標準ゲート充電により、高速スイッチングトランジションを実現
• 最大消費電力62.5Wで熱ストレスに対応
• 20Vのゲート-ソース許容差により、幅広いドライブマージンを実現

用途


• 自動車用電力変換モジュールに最適
• 産業機器のDC-DCコンバータに最適
• 高電流処理を必要とするモータードライバーに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• バッテリ管理および充電回路に最適

信頼性の高い動作温度範囲は?


-55°C~175°Cの幅広い温度範囲で動作するため、高温環境に適しています。

どのようなパッケージタイプと取り付け方法を使用しますか?


このデバイスは、プリント基板実装用に設計されたPowerPAK 1212-8W SMDパッケージに収められており、コンパクトな組立が可能です。

ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?


標準的な8 nCのゲート充電により、ゲートドライブエネルギーを低減し、スイッチングトポロジでのターンオンとターンオフの迅速化に貢献します。

自動車グレードの展開に適していますか?


コンポーネント認証が必要な自動車用電子システムで使用するためのAEC-Q101要件に適合しています。

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