Vishay Nチャンネル MOSFET850 V 8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 228-2849
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
2000 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は5個
￥289.80
(税抜)
￥318.78
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | ￥289.80 | ￥1,449.00 |
| 100 - 945 | ￥281.20 | ￥1,406.00 |
| 950 - 1245 | ￥213.00 | ￥1,065.00 |
| 1250 - 1595 | ￥178.80 | ￥894.00 |
| 1600 + | ￥144.40 | ￥722.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 228-2849
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
Vishay E シリーズパワー MOSFET により、スイッチング損失と導電損失を低減しています。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ Co （ er ））
低実効静電容量（ Co （ er ））
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 8 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 850 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | E Series |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.45 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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