Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD11N80AE-T1-GE3
- RS品番:
- 228-2849
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2849
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 850V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 450mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850 V、最大連続ドレイン電流8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電源設計の表面実装用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。エンハンスメントモードデバイスとして動作し、高いドレイン-ソース電圧能力と高温環境での中程度の連続電流処理を必要とする回路に適しています。
特長：
• 最大ドレインソース間電圧850 Vにより、高電圧スイッチング用途を実現 • 8 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷駆動要件をサポート • 450 mΩ Rds(on)により、高電圧回路での導通損失を低減 • 78 Wの最大消費電力により、高い熱ヘッドルームを実現 • 30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現 • 28 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
用途
• 高電圧電源およびコンバータに最適 • 産業用モータドライブフロントエンドに最適 • 電子バラストおよび照明コントローラに使用 • エネルギー管理および電源調整モジュールに使用可能 • オートメーションシステムのミッドパワーインバータステージに最適
プリント基板アセンブリには、どのような取り付け形式を使用しますか?
基板はんだ付け用の3ピン付きのTO-252表面実装パッケージで提供されます。
運転中に耐えられる温度範囲は？
-55°C～最大150°Cまでの動作が可能です。
ゲート特性はスイッチング設計にどのように影響しますか?
定格ゲートドライブでの標準ゲート充電は28 nCで、ゲートドライバを選択するためのドライブ電流とスイッチング損失の推定値を提供します。
このデバイスが消費できる最大連続電力は何ですか?
このデバイスは、適切な熱管理条件下で最大78 Wの消費電力を発揮できます。
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