Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 8 A, 450 mΩ, 28 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 228-2849
メーカー型番:: SIHD11N80AE-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 8 A, 450 mΩ, 28 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:: 228-2849
メーカー型番:: SIHD11N80AE-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	E
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	450mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	78W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	28nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ E
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 78W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850 V、最大連続ドレイン電流8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3

このパワーMOSFETは、表面実装用途の電源スイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。広い周囲範囲で動作し、高いドレイン・ソース間電圧能力と低い連続電流処理を必要とする回路に適しています。このデバイスはTO-252パッケージで提供され、RoHSに準拠しています。

特長：

• ドレイン-ソース間定格電圧 850V により、高電圧スイッチングに対応
• 8Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流に対応
• 450mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 78Wの最大許容電力により、大きな熱負荷を処理
• 28nCの総ゲート電荷により、より高速なゲートトランジションを実現
• 1.2Vの順方向ダイオードドロップにより、逆伝導損失を最小限に抑制

用途

• 高電圧スイッチングコンバータおよびインバータに使用
• 産業用電源および補助レールに最適
• ハーフブリッジおよびスイッチモードトポロジに最適
• 低電流のモータードライブゲートステージに使用可能
• コンシューマ機器のディスクリート電源管理ボードと併用

どのようなゲートドライブ電圧範囲に対応すべきですか?

このデバイスは、ゲートとソース間で最大30 Vの耐電圧に対応

この制限内でゲートドライバを設計し、スイッチング速度と安全マージンに適したドライブ電圧を選択します。

温度はデバイスの動作にどのように影響しますか?

-55°C～150°Cでの動作に対応し、熱性能は許容デューティサイクルを決定し、高い放散温度下でジャンクション温度を維持するためにヒートシンクまたは基板サーマルビーが必要になる場合があります。

どのような取り付けとレイアウトに関する考慮事項が重要ですか?

TO-252表面実装パッケージとして、熱の拡散に十分な銅面積を確保し、ドレインとソースの短い低インダクタンストラックを確保し、熱性能とスイッチング性能を向上させます。

チャンネルタイプは回路設計にどのように影響しますか?

Nチャンネルエンハンスメントモードには、ゲート‐ソース間の正電圧が必要なため、ゲート‐ドライブの極性とレベルを制御回路に適切に配置する必要があります。