Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 9 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 228-2836
- メーカー型番:
- SIHA24N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 250 - 450 | ￥273.46 | ￥13,673 |
| 500 - 1200 | ￥264.66 | ￥13,233 |
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- RS品番:
- 228-2836
- メーカー型番:
- SIHA24N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 850V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 184mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 59nC | |
| 最大許容損失Pd | 35W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 184mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 59nC | ||
最大許容損失Pd 35W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850 V、最大連続ドレイン電流9 A - SIHA24N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nタイプ強化デバイスです。TO-220スルーホールパッケージで提供され、簡単な取り付けと熱インターフェイスを実現し、堅牢なドレインソース電圧処理と適度な電流能力を必要とする機器に適しています。
特長：
• 高電圧スイッチング用途向けの最大ドレインソース電圧: 850 V
• 9 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷処理が可能
• 184 mΩ Rds(on)により、予測可能な導通損失を実現
• 59 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• 35 Wの消費電力により、大きな熱ヘッドルームを実現
• 高温環境に対応する最大動作温度: 150 °C
• 9 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷処理が可能
• 184 mΩ Rds(on)により、予測可能な導通損失を実現
• 59 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• 35 Wの消費電力により、大きな熱ヘッドルームを実現
• 高温環境に対応する最大動作温度: 150 °C
用途
• 高電圧スイッチングコンポーネントを必要とする電源に最適
• 産業用モータドライブゲートステージ回路に最適
• オートメーションシステムの高電圧スナバーおよびクランプ回路に使用
• 照明および制御機器のラインサイドスイッチングに使用可能
• スルーホール取り付けが必要なプロトタイプおよび生産基板に最適
• 産業用モータドライブゲートステージ回路に最適
• オートメーションシステムの高電圧スナバーおよびクランプ回路に使用
• 照明および制御機器のラインサイドスイッチングに使用可能
• スルーホール取り付けが必要なプロトタイプおよび生産基板に最適
設計者は安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソース電圧は30 Vを超えてはならないため、ゲートダイエレクトリックの過剰な負荷を避けることができます。
熱管理は連続電流性能にどのように影響しますか?
35 Wの消費電力定格により、効果的なヒートシンクを実現
適切な熱経路がないと、ジャンクション温度が上昇し、連続電流容量が低下します。
このデバイスは、特定の自動車規格を必要とする自動車用途に適していますか?
自動車専用規格に準拠していないため、使用前に車両レベルの認定要件に対して評価する必要があります。
ゲート充電とRds(on)を考慮して、予想されるスイッチングトレッドオフは何ですか?
184 mΩのオン抵抗と組み合わせた適度なゲート電荷は、スイッチング損失と伝導損失のバランスを示します。
ゲートドライブ強度とスイッチング周波数が全体的な効率を決定します。
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