Vishay MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, デュアル, 100 V, 4 A, 0.251 Ω, 4.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8 Dual
- RS品番:
- 228-2924
- メーカー型番:
- SiS590DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥79.239 | ￥237,717 |
| 6000 - 27000 | ￥78.001 | ￥234,003 |
| 30000 - 42000 | ￥76.763 | ￥230,289 |
| 45000 - 57000 | ￥75.525 | ￥226,575 |
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- RS品番:
- 228-2924
- メーカー型番:
- SiS590DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8 Dual | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.251Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 23.1W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8 Dual | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.251Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 23.1W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Combo N / P チャンネル -100 V MOSFET です。
100 % Rg及びUISテスト済み
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