2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 69.3 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ340BDT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥2,980.00

(税抜)

￥3,278.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,950 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥119.20￥2,980
150 - 1350￥103.84￥2,596
1375 - 1725￥89.68￥2,242
1750 - 2225￥74.28￥1,857
2250 +￥60.16￥1,504

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
228-2939
メーカー型番:
SiZ340BDT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

69.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00856Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

31W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.4nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay デュアル N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

Vishay デュアル N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

100 % Rg及びUISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ