onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 62 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
229-6443
メーカー型番:
NTBG045N065SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

62A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiC Power

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

50mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

105nC

最大許容損失Pd

242W

順方向電圧 Vf

4.8V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.2mm

高さ

9.4mm

4.7 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。

ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。

最高レベルの効率

動作周波数が向上します

電力密度の向上

EMIの軽減

システムサイズの縮小

最高レベルの効率

動作周波数が向上します

電力密度の向上

EMIの軽減

システムサイズの縮小

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