onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 62 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG045N065SC1

RS品番:: 229-6444
メーカー型番:: NTBG045N065SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 62 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG045N065SC1

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RS品番:: 229-6444
メーカー型番:: NTBG045N065SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	62A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	SiC Power
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	50mΩ
	チャンネルモード	N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	105nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	242W
	最大ゲートソース電圧Vgs	22 V
	順方向電圧 Vf	4.8V
	動作温度 Max	175°C
	幅	4.7 mm
	規格 / 承認	No
	高さ	9.4mm
	長さ	10.2mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 62A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ SiC Power
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ
	チャンネルモード N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 105nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 242W
	最大ゲートソース電圧Vgs 22 V
	順方向電圧 Vf 4.8V
	動作温度 Max 175°C
	幅 4.7 mm
	規格 / 承認 No
	高さ 9.4mm
	長さ 10.2mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor の SiC パワーシリーズ MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。

最高レベルの効率

動作周波数が向上します

電力密度の向上

EMIの軽減

システムサイズの縮小