onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBG080N120SC1

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梱包形態
RS品番:
205-2450
メーカー型番:
NTBG080N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

順方向電圧 Vf

3.9V

動作温度 Max

150°C

長さ

15.1mm

規格 / 承認

This Device is Pb-Free and is RoHS

高さ

4.3mm

幅

9.7 mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L


ON Semiconductor シリコンカーバイド（ SiC ） N チャンネル MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

低オン抵抗： 80 mhm タイプ

高ジャンクション温度

超低ゲート電荷

低実効出力静電容量

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