onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 203 A N, 表面, 8-Pin パッケージM0-299A
- RS品番:
- 229-6447
- メーカー型番:
- NTBLS1D7N08H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥563.75 | ￥1,127,500 |
| 4000 - 18000 | ￥555.46 | ￥1,110,920 |
| 20000 - 28000 | ￥547.169 | ￥1,094,338 |
| 30000 - 38000 | ￥538.879 | ￥1,077,758 |
| 40000 + | ￥530.588 | ￥1,061,176 |
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- RS品番:
- 229-6447
- メーカー型番:
- NTBLS1D7N08H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 203A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | M0-299A | |
| シリーズ | NBTLS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 121nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 11.78mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 9.9mm | |
| 幅 | 2.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 203A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 M0-299A | ||
シリーズ NBTLS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 121nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 11.78mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 9.9mm | ||
幅 2.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor N チャンネルパワー MOSFET は、低いオン状態抵抗と低いゲート電荷量を特長としています。203 A のドレイン電流を流すことができます。電動工具、バッテリ駆動の掃除機、 UAV / ドローン、マテハン、 BMS / ストレージ及びホームオートメーションで使用されます。
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑えます
スイッチングノイズ / EMIを低減