- RS品番:
- 229-6453
- メーカー型番:
- NTD360N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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¥383.80
(税抜)
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(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
5 - 120 | ¥383.80 | ¥1,919.00 |
125 - 1195 | ¥372.60 | ¥1,863.00 |
1200 - 1595 | ¥283.00 | ¥1,415.00 |
1600 - 1995 | ¥237.80 | ¥1,189.00 |
2000 + | ¥192.80 | ¥964.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 229-6453
- メーカー型番:
- NTD360N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
パワーMOSFET、Nチャンネル、SUPERFET® III、FAST、650 V、10 A、360 mΩ、DPAK
SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。チャージバランス技術を採用し、優れた低オン抵抗と低ゲート充電性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。このため、SUPERFET III FAST MOSFETシリーズは、さまざまな電源システムを最小限に抑え、システム効率を向上させます。
特長
• 700 V @ TJ = 150°C
• 超低ゲート充電(標準Qg = 17.5 nC)
• 低有効出力静電容量(標準コス(有効) = 180 pF)
• 頑丈なボディダイオードによる高速スイッチング性能
• 100 %アバランシェテスト済み
• RoHS適合
• 標準RDS(オン) = 296 m
• 内部ゲート抵抗: 0.9
• 超低ゲート充電(標準Qg = 17.5 nC)
• 低有効出力静電容量(標準コス(有効) = 180 pF)
• 頑丈なボディダイオードによる高速スイッチング性能
• 100 %アバランシェテスト済み
• RoHS適合
• 標準RDS(オン) = 296 m
• 内部ゲート抵抗: 0.9
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 10 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
シリーズ | SUPERFET III |
パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.36 Ω |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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