onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 10 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, NTD360N65S3H
- RS品番:
- 229-6453
- メーカー型番:
- NTD360N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 125 - 1195 | ￥385.20 | ￥1,926 |
| 1200 - 1595 | ￥330.80 | ￥1,654 |
| 1600 - 1995 | ￥275.20 | ￥1,376 |
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- RS品番:
- 229-6453
- メーカー型番:
- NTD360N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SUPERFET III | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SUPERFET III | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.5nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
幅 2.39 mm | ||
自動車規格 なし | ||
パワーMOSFET、Nチャンネル、SUPERFET® III、FAST、650 V、10 A、360 mΩ、DPAK
SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。チャージバランス技術を採用し、優れた低オン抵抗と低ゲート充電性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。このため、SUPERFET III FAST MOSFETシリーズは、さまざまな電源システムを最小限に抑え、システム効率を向上させます。
特長
• 700 V @ TJ = 150°C
• 超低ゲート充電(標準Qg = 17.5 nC)
• 低有効出力静電容量(標準コス(有効) = 180 pF)
• 頑丈なボディダイオードによる高速スイッチング性能
• 100 %アバランシェテスト済み
• RoHS適合
• 標準RDS(オン) = 296 m
• 内部ゲート抵抗: 0.9