STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 2.5 A 表面実装 パッケージPowerFLAT 5x5 14 ピン
- RS品番:
- 920-9026
- メーカー型番:
- PD55003L-E
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は3000 個
￥1,051.563
(税抜)
￥1,156.719
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥1,051.563 | ￥3,154,689.00 |
| 6000 - 6000 | ￥1,020.174 | ￥3,060,522.00 |
| 9000 - 9000 | ￥965.764 | ￥2,897,292.00 |
| 12000 - 12000 | ￥938.56 | ￥2,815,680.00 |
| 15000 + | ￥911.355 | ￥2,734,065.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 920-9026
- メーカー型番:
- PD55003L-E
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ
この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | PowerFLAT 5x5 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 14 |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 14 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -15 V, +15 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 5mm |
| 幅 | 5mm |
| 高さ | 0.88mm |
| 標準パワーゲイン | 19 dB |
| 動作温度 Min | -65 °C |
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