シングル STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 表面 エンハンスメント型, 2-Pin, RF2L36075CF2 パッケージB-2

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥23,061.00

(税抜)

￥25,367.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
1 - 5￥23,061
6 - 54￥22,996
55 - 69￥22,909
70 - 89￥22,833
90 +￥22,758

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
230-0088
メーカー型番:
RF2L36075CF2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

動作周波数

3.5 GHz

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

RF2L

パッケージ型式

B-2

取付タイプ

表面

ピン数

2

チャンネルモード

エンハンスメント型

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

200°C

規格 / 承認

RoHS

幅

19.44 mm

高さ

3.61mm

長さ

20.57mm

自動車規格

なし

標準パワーゲイン

12.5dB

STMicroelectronics RF2L36075CF2 は、 75 W の内部整合 LDMOS トランジスタで、 3.1 → 3.6 GHz の周波数範囲でマルチキャリア WCDMA / PCS / DCS / LTE ベースステーション及び S バンドレーダー用途向けに設計されています。クラス AB 、 B 、 C で、一般的なあらゆる携帯電話基地局変調方式に使用できます。

高効率及び線形ゲイン動作

ESD保護機能を内蔵

内部入力整合により、使いやすさが向上しています

正と負のゲートソース電圧範囲が大きく、クラス C 動作が改善されています

熱安定性に優れ、 HCI ドリフトが低くなっています

関連ページ