onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージH-PSOF
- RS品番:
- 230-9082
- メーカー型番:
- NTBL082N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 230-9082
- メーカー型番:
- NTBL082N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SUPERFET III | |
| パッケージ型式 | H-PSOF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 82mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 313W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | |
| 長さ | 10.2mm | |
| 幅 | 2.4 mm | |
| 高さ | 13.28mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SUPERFET III | ||
パッケージ型式 H-PSOF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 82mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 313W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | ||
長さ 10.2mm | ||
幅 2.4 mm | ||
高さ 13.28mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor シリーズ SUPERFET III MOSFET は、 ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。
高電力密度
ケルビンソース構成
低ゲートノイズ及びスイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
耐湿性レベル 1 保証
高湿環境下で高い信頼性を発揮します
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