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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	H-PSOF
	シリーズ	SUPERFET III
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	82mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	313W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	79nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	13.28mm
	長さ	10.2mm
	規格 / 承認	Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 H-PSOF
	シリーズ SUPERFET III
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 82mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 313W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 13.28mm
	長さ 10.2mm
	規格 / 承認 Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP
	自動車規格なし

ON Semiconductor シリーズ SUPERFET III MOSFET は、 ON Semiconductor の新しい高電圧スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET ファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。

高電力密度

ケルビンソース構成

低ゲートノイズ及びスイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

耐湿性レベル 1 保証

高湿環境下で高い信頼性を発揮します

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージH-PSOF, NTBL082N65S3HF

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