onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 49 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージH-PSOF, NTBL050N65S3H
- RS品番:
- 221-6706
- メーカー型番:
- NTBL050N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | ￥1,631.50 | ￥3,263 |
| 60 - 598 | ￥1,539.00 | ￥3,078 |
| 600 - 798 | ￥1,447.50 | ￥2,895 |
| 800 - 1598 | ￥1,355.50 | ￥2,711 |
| 1600 + | ￥1,263.50 | ￥2,527 |
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- RS品番:
- 221-6706
- メーカー型番:
- NTBL050N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 49A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | H-PSOF | |
| シリーズ | NTBL050N65S | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 305W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 98nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.8mm | |
| 幅 | 2.4 mm | |
| 高さ | 11.47mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 49A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 H-PSOF | ||
シリーズ NTBL050N65S | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 305W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 98nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.8mm | ||
幅 2.4 mm | ||
高さ 11.47mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。
超低ゲート電荷
低実効出力静電容量： 909 pF
100 %アバランシェ耐量試験済み