onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL099N60S5

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RS品番:
230-9089
メーカー型番:
NTHL099N60S5
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

SUPERFET V

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

184W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.87mm

4.82 mm

規格 / 承認

No

高さ

41.07mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、 120 V/ ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格及び 50 V/ns の高ボディダイオード DVD/dt 定格をサポートし、導電損失とスイッチング損失を低減することで設計上の利点を発揮します。この結果、 SUPERFET V MOSFET Easy Drive シリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、優れたスイッチング性能を発揮し、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジの両方に使用できます。EMI の問題を管理し、優れたシステム効率で設計を簡単に実装できます。

ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、 120 V/ ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格及び 50 V/ns の高ボディダイオード DVD/dt 定格をサポートし、導電損失とスイッチング損失を低減することで設計上の利点を発揮します。この結果、 SUPERFET V MOSFET Easy Drive シリーズは、使いやすさを犠牲にすることなく、優れたスイッチング性能を発揮し、ハードスイッチングトポロジとソフトスイッチングトポロジの両方に使用できます。EMI の問題を管理し、優れたシステム効率で設計を簡単に実装できます。

超低ゲート電荷(標準) QG = 48 nC )

低スイッチング損失

低時間関連の出力静電容量(標準) Coss ( tr ) = 642 pF )

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

650 V @ TJ = 150 ° C

標準 RDS ( on ) = 79.2 m Ω

100 % アバランシェテスト済み

RoHS対応

内部ゲート抵抗: 6.9 Ω

超低ゲート電荷(標準) QG = 48 nC )

低スイッチング損失

低時間関連の出力静電容量(標準) Coss ( tr ) = 642 pF )

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

650 V @ TJ = 150 ° C

標準 RDS ( on ) = 79.2 m Ω

100 % アバランシェテスト済み

RoHS対応

内部ゲート抵抗: 6.9 Ω

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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