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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	シリーズ	CoolGaN
	パッケージ型式	LSON
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 10A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	シリーズ CoolGaN
	パッケージ型式 LSON
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IGLD60R190D1AUMA3

Infineon の 600 V 強化モードパワートランジスタは、高速のターンオン / ターンオフ速度と最小のスイッチング損失を実現し、最高の効率を実現するシンプルなハーフブリッジトポロジを実現します。窒化ガリウム CoolGaN 600 V シリーズは、既存の基準をはるかに上回る包括的な GaN に基づく認定を受けています。システム効率の向上、電力密度の向上、動作周波数の向上を実現しています。

超高速スイッチング

逆回復電荷は発生しません

逆導通が可能

低ゲート電荷量、低出力電荷量

優れた整流耐久性

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージLSON

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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