STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 45 A スルーホール パッケージHiP247-4 を参照してください 4 ピン
- RS品番:
- 233-0472
- メーカー型番:
- SCTWA35N65G2V-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は30個
￥2,475.567
(税抜)
￥2,723.124
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥2,475.567 | ￥74,267.01 |
| 150 - 270 | ￥2,426.033 | ￥72,780.99 |
| 300 - 720 | ￥2,377.50 | ￥71,325.00 |
| 750 - 1470 | ￥2,329.933 | ￥69,897.99 |
| 1500 + | ￥2,283.333 | ￥68,499.99 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 233-0472
- メーカー型番:
- SCTWA35N65G2V-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスは、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量
ソース検出ピンにより効率が向上しています
低静電容量
ソース検出ピンにより効率が向上しています
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 45 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | HiP247-4 を参照してください |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.067 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
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