STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 119 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージHip-247

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RS品番:
213-3943
メーカー型番:
SCTWA90N65G2V-4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

119A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SCTWA90N65G2V-4

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

157nC

最大許容損失Pd

656W

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

2.5V

動作温度 Max

200°C

規格 / 承認

No

長さ

15.9mm

幅

21.1 mm

高さ

5.1mm

自動車規格

なし

STマイクロエレクトロニクスのSCTWA90N65G2V-4炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、先進的で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を使用して開発され、単位面積当たりのオン抵抗が著しく低く、非常に優れたスイッチング性能を備えています。

高速スイッチング性能

非常に高い動作接合部温度能力

非常に高速で堅牢なボディダイオード

極めて低いゲート電荷と入力容量

効率を高めるソース検知ピン

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