STMicroelectronics Nチャンネル SiC電源モジュール650 V 45 A スルーホール パッケージHiP247 （英語 3 ピン

STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。オン抵抗とスイッチング損失の両方の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

低静電容量
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
対オン抵抗の非常に厳密な変動温度

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