STMicroelectronics SiC電源モジュール, タイプNチャンネル, 45 A 650 V, スルーホール エンハンスメント型, 3-Pin, SCTWA35N65G2V パッケージHip-247

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梱包形態
RS品番:
204-3959
メーカー型番:
SCTWA35N65G2V
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

SiC電源モジュール

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

Hip-247

シリーズ

SCTWA35N65G2V

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.072Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

240W

順方向電圧 Vf

3.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

200°C

規格 / 承認

No

高さ

41.2mm

幅

5.1 mm

長さ

15.9mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。オン抵抗とスイッチング損失の両方の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

低静電容量

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

対オン抵抗の非常に厳密な変動温度

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