onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 68 A N, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
233-6853
メーカー型番:
NTH4L022N120M3S
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

68A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NTH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

30mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

-0.45 V

最大許容損失Pd

325W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

151nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

41.36mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

15.8mm

幅

5.2 mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、22モーム、1200 V、M3S、TO-247-4L


ON Semiconductor NTH4L022N120M3S は、 SiC 電源のシングル N チャンネル MOSFET です。TO247-4L パッケージで提供されます。NTH4L022N120M3S は、 1200 V のドレイン - ソース電圧、 68 A の連続ドレイン電流を備え、ソーラーインバータ、電気自動車充電ステーション、 UPS （無停電電源装置）、蓄電システム、 SMPS （スイッチモード電源）などの用途に使用されます。

このデバイスの標準 RDS （ on ）は、 18 V の VGS を含む 22 mVs@ です

このデバイスは、スイッチング損失が低くなっています

アバランシェ 100 % テスト済みです

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