Renesas Electronics MOSFET, タイプNチャンネル 1500 V, 4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-3PN, 2SK1835-E
- RS品番:
- 234-7061
- メーカー型番:
- 2SK1835-E
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
ボリュームディスカウント対象商品
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¥89,544.99
(税抜)
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ¥2,984.833 | ¥89,545 |
| 150 - 270 | ¥2,940.933 | ¥88,228 |
| 300 - 720 | ¥2,897.033 | ¥86,911 |
| 750 - 1470 | ¥2,853.167 | ¥85,595 |
| 1500 + | ¥2,809.267 | ¥84,278 |
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- RS品番:
- 234-7061
- メーカー型番:
- 2SK1835-E
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1500V | |
| パッケージ型式 | TO-3PN | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.9mm | |
| 幅 | 20.1 mm | |
| 高さ | 5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1500V | ||
パッケージ型式 TO-3PN | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.9mm | ||
幅 20.1 mm | ||
高さ 5mm | ||
自動車規格 なし | ||
Renesas ElectronicsシリコンNチャンネルMOSFETは、スイッチング及び負荷スイッチ用途に適しています。1500 Vの高ブレークダウン電圧を備えています。スイッチングレギュレータにも適しています。
低オン抵抗
高速スイッチング
高耐久性
低駆動電流
二次破壊なし
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