Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 433 A, 5.5 mΩ, 59 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 236-3642
- メーカー型番:
- BSC005N03LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 236-3642
- メーカー型番:
- BSC005N03LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 433A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.5mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 188W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 59nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5.49mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.35mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 433A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ OptiMOS™ | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.5mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 188W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 59nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5.49mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.35mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSTMシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧30V、最大連続ドレイン電流433A - BSC005N03LS5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での表面実装パワースイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、TDSONパッケージに取り付けており、低い導通損失と大きな連続ドレイン電流容量を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 433 A連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 5.5 mΩの低Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 30 Vのドレイン・ソース定格により、中電圧電力段階を実現
• 188Wの消費電力により、高出力処理をサポート
• 59 nCのゲート充電により、予測可能なゲートドライブエネルギー計画を実現
• 最大ゲート-ソース電圧±20 Vにより、広いドライブマージンを実現
• 5.5 mΩの低Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 30 Vのドレイン・ソース定格により、中電圧電力段階を実現
• 188Wの消費電力により、高出力処理をサポート
• 59 nCのゲート充電により、予測可能なゲートドライブエネルギー計画を実現
• 最大ゲート-ソース電圧±20 Vにより、広いドライブマージンを実現
用途
• 大電流DC-DCコンバーターおよびレギュレーターに最適
• サーバー電源レールおよび通信電源モジュールに最適
• 高い連続電流を必要とするモータードライブの電力変換段に使用
• バッテリ管理および配電に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
• サーバー電源レールおよび通信電源モジュールに最適
• 高い連続電流を必要とするモータードライブの電力変換段に使用
• バッテリ管理および配電に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
パッケージにはどのような考慮事項が熱管理に影響しますか?
TDSON表面実装パッケージは、低プロファイルのフットプリントを実現し、基板レベルの熱制限内で188 Wの定格電力を効果的に消費するために適切な基板銅エリア又は熱バイアが必要です。
このデバイスは過酷な周囲温度にどのように対応しますか?
-55°C～175°Cで動作するように設定されており、多くの高温環境でディレーティングなしで幅広い温度範囲で使用できます。
どのようなゲートドライブ要件を遵守する必要がありますか?
ドライブ回路は、ドライバピーク電流とスイッチングタイミングをサイズする際に、ゲート電圧を±20 V内に保つ必要があり、総ゲート電荷59 nCを考慮しなければなりません。
設計者は、導通損失とスイッチング損失をどのように計画する必要がありますか?
5.5 mΩ Rds(on)を使用してI^2Rの伝導損失を推定し、全体的な熱および効率予算を計算する際に、59 nCゲートを充電するためのエネルギーを含むことができます。
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