Microchip MOSFET, タイプPチャンネル, 90 V, 250 mA, 8 Ω, 3ピン, パッケージ：TO-92
- RS品番:
- 236-8963
- メーカー型番:
- VP0109N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 236-8963
- メーカー型番:
- VP0109N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 90 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 250 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 8 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| シリーズ | VP0109 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 90 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 250 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 8 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
シリーズ VP0109 | ||
The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
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