Microchip MOSFET, タイプPチャンネル, 250 mA 90 V, スルーホール エンハンスメント型, 3-Pin, VP0109N3-G パッケージTO-92

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RS品番:
236-8963
メーカー型番:
VP0109N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

250mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

90V

シリーズ

VP0109

パッケージ型式

TO-92

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

Microchip エンハンスメントモード（通常オン）トランジスタは、垂直型 DMOS 構造と、 Supertex の実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型 DMOS FET は、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

二次降伏なし

低駆動電力要件

並列接続が簡単

低CISS及び高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース-ドレインダイオードを内蔵

高入力インピーダンス及び高ゲイン

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