Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, デュアル・プラス統合ショットキー, 30 V, 4.5 A, 0.065 Ω, 6.6 nC, 6ピン, パッケージ：PowerPAK SC-70-6L

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RS品番:
180-7339
メーカー型番:
SIA817EDJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SC-70-6L

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.065Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.6nC

順方向電圧 Vf

560mV

最大許容損失Pd

6.5W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル・プラス統合ショットキー

高さ

750μm

長さ

2.05mm

規格 / 承認

No

幅

2.05mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SIA817EDJ は、検波器間で電圧が -30 V の検波器（ Vds ）電圧を発生させるショットキーダイオードを備えた P チャンネル MOSFET です。2 つのショットキーと一体型ショットキーで構成されています。ゲートとソース間の電圧（ VGS ）は 12 V です。PAK SC-70 電源パッケージが付属しています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.065 Ω @ 10VGS 、 0.08 Ω @ 4.5VGS最大ドレイン電流： 4.5 A

リトルフット + ショットキーパワー MOSFET です

熱特性が強化されたパワー PAK SC-70 パッケージは、フットプリントが小さく、低オン抵抗（薄型 0.75 mm ）です

標準 ESD 保護（ MOSFET ）： 1500 V （ HBM ）

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