Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 59.5 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR588DP-T1-RE3
- RS品番:
- 239-5393
- メーカー型番:
- SiR588DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 45000 - 57000 | ￥63.935 | ￥191,805 |
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- RS品番:
- 239-5393
- メーカー型番:
- SiR588DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 59.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SiR588DP | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.008Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.2nC | |
| 最大許容損失Pd | 59.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 59.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SiR588DP | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.008Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.2nC | ||
最大許容損失Pd 59.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SiR588DPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80 V、最大連続ドレイン電流59.5 A - SiR588DP-T1-RE3
このNチャンネルMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリで高電流を切り替えて処理するように設計された表面実装パワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、小型パッケージでの堅牢な電圧処理と効率的な伝導を必要とする用途に適しています。
特長：
• 80 Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途を実現 • 59.5 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作をサポート • 0.008Ωの低Rds(on)により、導通損失と加熱を低減 • 14.2 nC標準ゲート充電により、スイッチングトランジションを高速化 • 59.5 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能 • 最高動作温度150°Cで高温環境に耐える
用途
• 産業オートメーションシステムのモーター駆動段階に最適 • 高電流DC-DCコンバータおよび電源に最適 • 配電モジュールのスイッチングエレメントに使用 • HVACおよび制御機器の負荷スイッチングに使用可能 • 基板スペースが限られているコンパクトSMD電源アセンブリに最適
安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲート-ソース間電圧は、ゲート酸化ストレスを防止するために±20 V以内に保つ必要があります。
このパッケージは、基板の熱管理にどのような影響を与えますか?
PowerPAK SO-8 8ピン表面実装パッケージは、基板を通じて熱経路を集中させるため、優れた基板銅面積と熱伝導体により、熱放散を向上させます。
どのような環境条件がデバイスの動作制限を定義しますか?
このデバイスは、高温環境でのジャンクション温度が-55°C～150°Cまでの使用に適しています。
このデバイスの順方向電圧は、導通動作とどのように関連していますか?
1.1 Vの順方向電圧は、逆回復またはハードコミュニティイベント中に本体ダイオードが導通すると、ダイオードの伝導降下が予想される電圧を示します。
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