Vishay MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 59.5 A, 0.008 Ω, 14.2 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- RS品番:
- 239-5393
- メーカー型番:
- SiR588DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-5393
- メーカー型番:
- SiR588DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 59.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SiR588DP | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.008Ω | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.2nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 59.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 59.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SiR588DP | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.008Ω | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.2nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 59.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 5.15mm | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SiR588DPシリーズMOSFET、ドレインソース電圧80V、連続ドレイン電流59.5A - SiR588DP-T1-RE3
このNチャンネルパワーMOSFETは、表面実装パワーエレクトロニクスの高電流スイッチング向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、過酷な熱環境に適合しながら、低い伝導損失と高速スイッチング用途向けの効率的なゲート制御を実現します。
特長：
• 非常に低いオン抵抗により、伝導損失と熱を低減
• 高い連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 80Vドレイン・ソース定格により、中電圧設計が可能
• 適度なゲート電荷により、効率的なスイッチング制御を実現
• 大幅な消費電力容量により熱マージンを向上
• 高い連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 80Vドレイン・ソース定格により、中電圧設計が可能
• 適度なゲート電荷により、効率的なスイッチング制御を実現
• 大幅な消費電力容量により熱マージンを向上
用途
• 電力管理用DC-DCコンバータに最適
• モータドライブインバータステージに最適
• サーバーおよび通信機器の電源と併用
• バッテリ管理および充電システムに使用可能
• モータドライブインバータステージに最適
• サーバーおよび通信機器の電源と併用
• バッテリ管理および充電システムに使用可能
どのようなパッケージタイプを使用し、その理由は何ですか?
PowerPAK SO‐8パッケージで提供され、コンパクトな表面実装フットプリントと、密集した基板で熱を放散するための熱コンタクトを向上させています。
このデバイスは、極端な温度下でどのように動作しますか?
定格動作温度は-55°C～150°Cで、指定された電気性能を維持しながら、コールドスタート条件と高温エンクロージャの両方で使用できます。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲートソース電圧は20 Vであるため、ゲートドライブ回路はこの値に制限される必要があり、ゲート過負荷を防止する必要があります。
どのような電気的特性がスイッチング効率に影響しますか?
低ドレイン・ソース抵抗と14.2 nCの標準ゲート電荷と組み合わせて、導通損失とスイッチングエネルギーを決定し、システム全体の効率に影響を与えます。
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