Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 59.7 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR572DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
225-9928
メーカー型番:
SIR572DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

59.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

N-Channel 150 V

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.5mΩ

最大許容損失Pd

92.5W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

幅

1.12 mm

高さ

5.26mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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