Vishay MOSFET, Nチャンネル, 171 V, 171 A, 0.0035 Ω, 86 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- RS品番:
- 239-5396
- メーカー型番:
- SiRS700DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-5396
- メーカー型番:
- SiRS700DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 171A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 171V | |
| シリーズ | SiR | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0035Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 132W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5mm | |
| 長さ | 6mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 171A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 171V | ||
シリーズ SiR | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0035Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 132W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5mm | ||
長さ 6mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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