Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 518 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8S, SiRS4302DP

N

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RS品番:
735-148
メーカー型番:
SiRS4302DP
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

518A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SiR

パッケージ型式

PowerPAK SO-8S

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00057Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

153nC

最大許容損失Pd

245W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6mm

幅

5mm

高さ

2mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TW
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧60 V定格で、AIパワーサーバーDC/DCコンバータおよび同期整流回路での高効率スイッチング向けに最適化されています。10 Vゲートドライブで最大1.7 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、高電流用途での伝導損失を最小限に抑制

連続ドレイン電流: 87 A @ TA = 25 °C

低RDS(on) x Qgメリット数値で優れたスイッチング性能を発揮

100 % RgおよびUISテスト済み構造

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