Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 104 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8PT, SISA10BDN-T1-GE3

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RS品番:
239-5397
メーカー型番:
SISA10BDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

104A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SIS

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8PT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0036Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.7nC

最大許容損失Pd

63W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

幅

3.3 mm

高さ

0.75mm

自動車規格

なし

Vishay NチャンネルMOSFETのドレイン電流は104 Aです。高電力密度DC/DC、同期整流、VRM及び組み込みDC/DC、バッテリ保護に使用されます。

100 % Rg及びUISテスト済み

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