Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 104 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8PT, SISA10BDN-T1-GE3

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RS品番:
239-5397
メーカー型番:
SISA10BDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

104A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8PT

シリーズ

SISA10BDN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0036Ω

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

63W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.75mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

3.3mm

自動車規格

なし

Vishay SISA10BDNシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流104 A - SISA10BDN-T1-GE3


このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低電圧で大幅な連続ドレイン電流と効率的な伝導を必要とする用途に適しています。このデバイスは、低オン抵抗と低ゲート電荷を統合し、密集したシステムでのスイッチング性能と熱処理のバランスを取ることができます。

特長:


• 104 A連続ドレイン電流により、高電流スイッチング機能を実現
• 30 Vドレインソース定格により、低電圧電源レールをサポート
• 0.0036Ω Rds(on)により、導通損失と発熱を低減
• 11.7 nCのゲート充電により、効率的なゲートドライブとスイッチング制御を実現
• 63 Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応
• 最大20 Vのゲートソース電圧により、オーバードライブからゲートを保護

用途


• オートメーション機器のモータドライバステージに最適
• 高電流DC-DCコンバータ出力に最適
• 電源の同期整流に使用
• 産業用コントローラの負荷スイッチングに使用可能
• SMD取り付けを必要とするコンパクトな電源モジュールと併用

このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えることができますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、過酷な熱環境での使用が可能です。

設計者はどのようなパッケージタイプのフットプリントスペースに対応すべきですか?


このコンポーネントは、8ピンSMDフットプリントを必要とするPowerPAK 1212-8PT表面実装パッケージで提供されます。

このコンポーネントは、高出力条件下でどのように熱的に性能を発揮しますか?


最大消費電力は63 Wで、適切な基板熱管理で取り付けられた場合にデバイスは大きな電力に対応できることを示しています。

自動車認定が義務付けられている場所に適していますか?


このデバイスは、自動車規格の認証に適合することは指定されていないため、自動車用認定部品の交換とは考慮しないでください。

損傷を防止するためには、どのようなゲートドライブを考慮する必要がありますか?


最大ゲートソース定格電圧を維持するために、ゲートドライブの振幅は20 Vを超えないでください。

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