STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP80N240K6

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梱包形態
RS品番:
239-5544
メーカー型番:
STP80N240K6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

STP

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

140W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

UL

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

長さ

28.9mm

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsの超高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、20年にわたるSTMicroelectronicsのスーパージャンクション技術の経験に基づく最高のMDmesh K6技術を使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率を必要とする用途向けに、面積とゲート電荷あたりのクラス最高のオン抵抗が得られます。このMOSFETは、LED照明、充電器、アダプタなどのフライバックトポロジベースの用途に推奨されます。より高い電力密度を実現し、ボードのBOMコストとサイズの両方を削減します。

世界最高のRDS(on) x エリア

世界最高の FOM （性能指数）

超低ゲート電荷

100 %アバランシェテスト済み

Zener保護

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