STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 20 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP65N150M9

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梱包形態
RS品番:
261-4760
メーカー型番:
STP65N150M9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

28.9mm

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Nチャンネル650 V、128 mΩ(標準)、20 A MDmesh M9パワーMOSFET、TO-220パッケージ


このNチャンネルパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh M9テクノロジーをベースにし、エリアあたりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、強化されたデバイス構造を実現します。この製品は、シリコンベースのすべての高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETの中で、オン抵抗が低く、ゲート充電値が低くなっているため、優れた電力密度と優れた効率を必要とする用途に特に適しています。

すべての機能


  • シリコンベースのデバイスの中で世界最高のFOM RDS(on)*Qg
    • 、

  • 高いVDSS定格
    • 、

  • 高いdv/dt容量
    • 、

  • 優れたスイッチング性能
    • 、

  • 駆動が簡単
    • 、

  • 100%のアバランシュテスト済み

  • ツェナー保護

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