STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP65N045M9

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梱包形態
RS品番:
248-9689
メーカー型番:
STP65N045M9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

STP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

245W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

長さ

28.9mm

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsのNチャンネルパワーMOSFETは、革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9技術を採用し、面積あたりのRDSが非常に低く、高速回復ダイオードとの組み合わせた、中 / 高電圧MOSFETに適しています。 シリコンベースのDM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、デバイス構造を向上しています。 その結果、シリコンベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETの中で、最も低いオン抵抗と低減されたゲート電荷値を持ち、優れた電力密度と効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

シリコンベースのデバイスの中で世界最高のQgに関するのFOM RDS

高いVDSS定格

高いdv/dt容量

優れたスイッチング性能

駆動が簡単

100パーセントのアバランシュテスト済み

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