Microchip MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 10.3 A, 8 Ω, 3ピン, パッケージ：TO-92
- RS品番:
- 239-5618P
- メーカー型番:
- TN5325K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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|---|---|
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- RS品番:
- 239-5618P
- メーカー型番:
- TN5325K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | TN5325 | |
| パッケージ型式 | TO-92 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ TN5325 | ||
パッケージ型式 TO-92 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Microchip TN5325シリーズの低しきい値強化モード(通常オフ)トランジスタは、縦型DMOS構造と実証済みのシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次絶縁破壊の恐れがありません。
最大2 Vの低しきい値
高入力インピーダンス、高ゲイン
立ち上がり時間: 15 ns
ターンオフ遅延時間: 25 ns
立ち下がり時間: 25 ns