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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
Microchip Pチャンネル MOSFET60 V 643 mA 表面実装 パッケージTO-92 3 ピン
RS品番:
239-5621P
メーカー型番:
VP2206N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
239-5621P
メーカー型番:
VP2206N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet - VP2206N3-G
RoHSステータス: 適合
Microchip VP2206シリーズは、縦型DMOS構造とSupertexの実績のあるシリコンゲート製造プロセスを利用した強化モード(通常オフ)トランジスタです。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次絶縁破壊の恐れがありません。この縦型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高ブレークダウン電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及び増幅用途に最適です。
二次故障の恐れがない
低消費電力
簡単な並列接続、低CISS、高速スイッチング
高入力インピーダンス、高ゲイン、優れた熱安定性
ソース-ドレイン間ダイオードを内蔵
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
チャンネルタイプ
P
最大連続ドレイン電流
643 mA
最大ドレイン-ソース間電圧
60 V
シリーズ
VP2206
パッケージタイプ
TO-92
実装タイプ
表面実装
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
1.5 Ω
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
3.5V
1チップ当たりのエレメント数
1
トランジスタ素材
シリコン