- RS品番:
- 240-0612
- メーカー型番:
- STW75N65DM6-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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14 - 18 | ¥2,114.00 |
19 - 24 | ¥2,030.00 |
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- RS品番:
- 240-0612
- メーカー型番:
- STW75N65DM6-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速リカバリダイオードシリーズの一部です。以前のMDmesh高速世代と比較して、DM6は非常に低い回復電荷(Qrr)と低い回復時間(trr)、領域あたりのRDS(on)の優れた改善を組み合わせて、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS位相シフトコンバータに対応する効果的なスイッチング動作を実現しています。
高速回復型ボディダイオード
前世代より単位面積あたりのRDS(on)低減
低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗
100%アバランシェ試験済み
dv/dtの堅牢性が高い
ツェナー保護
前世代より単位面積あたりのRDS(on)低減
低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗
100%アバランシェ試験済み
dv/dtの堅牢性が高い
ツェナー保護
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 37 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO247-4 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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