STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 56 A, 43 mΩ, 78.6 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 275-1383
- メーカー型番:
- STWA60N043DM9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 275-1383
- メーカー型番:
- STWA60N043DM9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 56A | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | STW | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 43mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 312W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 56A | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ STW | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 43mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 78.6nC | ||
最大許容損失Pd 312W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9技術に基づいており、エリアごとに非常に低いRDS(on)を備えた中電圧又は高電圧MOSFETに最適で、高速回復ダイオードと組み合わせられています。シリコンベースのDM9テクノロジーには、マルチドレイン製造プロセスの利点があり、デバイス構造を強化できます。
高速回復ボディダイオード
シリコンベースの高速回復デバイスにおいて、エリアあたりの世界最高のRDS
低ゲート充電、入力静電容量、抵抗
100 %バランステスト済み
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