STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, STWA75N65DM6

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梱包形態
RS品番:
240-0616
メーカー型番:
STWA75N65DM6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

STW

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

480W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速リカバリダイオードシリーズの一部です。以前のMDmesh高速世代と比較して、DM6は非常に低い回復電荷(Qrr)と低い回復時間(trr)、領域あたりのRDS(on)の優れた改善を組み合わせて、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS位相シフトコンバータに対応する効果的なスイッチング動作を実現しています。

高速回復型ボディダイオード

前世代より単位面積あたりのRDS(on)低減

低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗

100%アバランシェ試験済み

極めて高いdv/dt耐久性

ツェナプロテクト

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