Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 10.3 A, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK56E, PSMN1R5-50YLHX

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,140.00

(税抜)

￥1,254.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,480 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 +￥570.00￥1,140

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
240-1973
メーカー型番:
PSMN1R5-50YLHX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

LFPAK56E

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.6mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

12.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Nexperia MOSFETはLFPAK56Eパッケージに収め、連続電流200A、ロジック・レベル・ゲート駆動、Nチャネル強化モードを搭載しています。ASFETは、高いアバランシェ耐量とリニアモード性能を必要とする36Vバッテリー駆動アプリケーションに特に適しています。

LFPAK56Eの低応力露出リードフレームにより、究極の信頼性、最適なはんだ付け、容易なはんだ接合部検査を実現

銅クリップとはんだダイアタッチにより、低パッケージインダクタンスと低抵抗、高ID（最大）定格を実現

175 °Cに適合

アバランシェ定格、100%テスト済み

低いQG、QGD、QOSSにより、特に高いスイッチング周波数で高効率を実現

ボディダイオードのソフトリカバリと超高速スイッチングにより、低スパイキングと低リンギングを実現、低EMI設計に推奨

関連ページ