Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 10.3 A, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK56E, PSMN2R0-55YLHX

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梱包形態
RS品番:
240-1975
メーカー型番:
PSMN2R0-55YLHX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

LFPAK56E

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.6mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

12.5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Nexperia Nチャンネル強化モードMOSFETは、LFPAK56Eパッケージに収められています。ASFETは、強力なアバランチ能力、リニアモード性能、高いスイッチング周波数での使用が必要な36Vバッテリ駆動アプリケーションに特に適しています。高スイッチング周波数と大電流条件下で安全かつ信頼性の高いスイッチングに使用されます。

175 °Cに適合

アバランシェ定格、100%テスト済み

低いQG、QGD、QOSSにより、特に高いスイッチング周波数で高効率を実現

ボディダイオードのソフトリカバリと超高速スイッチングにより、低スパイキングと低リンギングを実現、低EMI設計に推奨

独自の「SchottkyPlus」技術により、ショットキーと同等のスイッチング性能と低IDSSリークを実現

狭い VGS（th）定格により、並列化が容易で、電流共有が向上

非常に強力なリニアモード / 安全動作領域特性により、大電流条件下で安全かつ信頼性の高いスイッチングが可能

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