Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 381 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON-8 FL
- RS品番:
- 241-9871
- メーカー型番:
- BSC019N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 241-9871
- メーカー型番:
- BSC019N06NSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 381A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TDSON-8 FL | |
| シリーズ | BSC0 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 381A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TDSON-8 FL | ||
シリーズ BSC0 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSC0シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流381A - BSC019N06NSATMA1
このMOSFETは、低オン抵抗と高速ゲート応答が求められる表面実装電源用途向けに設計された高電流Nチャンネルスイッチングデバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、基板レベルの統合に適したコンパクトなTDSON-8 FLパッケージで提供されます。
特長：
• 超低Rds(on) 0.7 mΩにより、導通損失と発熱を低減
• 最大連続ID 381 Aにより、システム内での高電流供給をサポート
• Vds 40 Vにより、中電圧電源レールやコンバータでの使用が可能
• Pd 81 Wにより、すぐに熱漏れすることなく大きな電力処理が可能
• Qg 80 nCゲートチャージにより、動的負荷に対する迅速なスイッチングを実現
• Vgs 20 Vゲート定格により、制御回路に柔軟なゲートドライブ電圧を供給
• 最大連続ID 381 Aにより、システム内での高電流供給をサポート
• Vds 40 Vにより、中電圧電源レールやコンバータでの使用が可能
• Pd 81 Wにより、すぐに熱漏れすることなく大きな電力処理が可能
• Qg 80 nCゲートチャージにより、動的負荷に対する迅速なスイッチングを実現
• Vgs 20 Vゲート定格により、制御回路に柔軟なゲートドライブ電圧を供給
用途
• 高電流同期整流段階に最適
• サーバーおよび通信機器の電力変換に最適
• モータードライブハーフブリッジおよびHブリッジ構成に使用
• バッテリ管理およびDC-DCコンバータに使用可能
• コンパクトパワーボードの高出力MOSFETアレイと併用
• サーバーおよび通信機器の電力変換に最適
• モータードライブハーフブリッジおよびHブリッジ構成に使用
• バッテリ管理およびDC-DCコンバータに使用可能
• コンパクトパワーボードの高出力MOSFETアレイと併用
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
TDSON-8 FLパッケージで提供され、プリント基板への表面実装向けに設計されています。
動作中にどのような熱範囲に耐えられますか?
このデバイスは、-55°C～175°Cの温度範囲で動作し、環境耐性を向上させます。
どのような特性がスイッチング速度とゲート駆動要件に影響しますか?
標準的なゲート電荷は80 nCで、駆動電流とスイッチングトランジションを決定します。
順方向電圧は導通性能にどのような影響を与えますか?
1 Vの順方向電圧は、導通中の電力損失に影響し、熱設計において考慮する必要があります。
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