Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 273 A, 1.7 mΩ, 80 nC, 7ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 242-5816
- メーカー型番:
- IPB017N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 242-5816
- メーカー型番:
- IPB017N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 273A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | iPB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 273A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ iPB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon iPBシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100V、最大連続ドレイン電流273A - IPB017N10N5ATMA1
このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電流Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢な電流処理と耐熱性が求められる過酷な産業および電力変換環境向けに設計されています。
特長：
• 低オン抵抗により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上
• 高い連続ドレイン電流により、高負荷時の持続的な動作を実現
• 100Vドレイン定格により、一般的な中間電圧トポロジーをサポート
• 81Wの消費電力により、コンパクトなパッケージで高い電力スループットを実現
• 80nC標準ゲート充電により、コンバータでの応答性の高いスイッチングをサポート
• 20Vゲート定格により、幅広いゲートドライブ電圧の柔軟性を実現
• 高い連続ドレイン電流により、高負荷時の持続的な動作を実現
• 100Vドレイン定格により、一般的な中間電圧トポロジーをサポート
• 81Wの消費電力により、コンパクトなパッケージで高い電力スループットを実現
• 80nC標準ゲート充電により、コンバータでの応答性の高いスイッチングをサポート
• 20Vゲート定格により、幅広いゲートドライブ電圧の柔軟性を実現
用途
• 高電流DC-DC電源コンバータに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブハーフブリッジステージに使用
• サーバーおよび通信用電源レールに使用可能
• バッテリ管理およびインバータシステムに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブハーフブリッジステージに使用
• サーバーおよび通信用電源レールに使用可能
• バッテリ管理およびインバータシステムに最適
このデバイスは、どのような極端な熱に耐えられますか?
-55°C～175°Cで動作するように設計されており、幅広い産業用温度要件に対応します。
パッケージタイプは、取り付けと熱管理にどのような影響を与えますか?
TO-263表面実装型により、ヒートシンク配置のための低熱抵抗経路を備えた直接基板実装が可能です。
スイッチング性能に関しては、どのようなゲートドライブに関する注意事項がありますか?
80nCの標準ゲート電荷と最大20Vのゲート定格により、ゲートドライバはVgs制限を遵守しながら十分な電流を供給し、高速移行を実現する必要があります。
どのようなチャンネル特性が導通損失とスイッチング損失に影響しますか?
このデバイスは、非常に低いドレインソース抵抗を備えたNチャンネルアーキテクチャを採用し、高い電流容量を維持しながら導通損失を低減します。
このデバイスは自動車認定用ですか?
この部品は自動車規格に適合していませんが、RoHS環境要件に適合しています。
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