Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
242-5816
メーカー型番:
IPB017N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンのMOSFETは、オーリング、ホットスワップ、バッテリ保護などの電気通信ブロックにおける同期整流や、サーバー電源用途向けに設計されています。同種のデバイスと比較してRDS(on)が22%低く、優れたFOM（性能指数）を実現する要因である低オン抵抗による最高レベルの電力密度と効率を実現しています。

同期整流向けに最適化

高スイッチング周波数に最適

出力静電容量を最大44 %削減、RDS(on)を従来機より最大43 %削減

最高システム効率

スイッチングと伝導損失を低減

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