Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB048N15N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
242-5819
メーカー型番:
IPB048N15N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

インフィニオン MOSFETは、フォークリフトや電動スクータなどの低電圧ドライブ、通信用途や太陽光発電用途に特に適しています。この製品は、FOMgd や FOMOSS を妥協させることなく、RDS(on)（SuperSO8 の競合同等製品と比べて最大 25% 低減）および Qrr を画期的に低減しています。これにより、システム効率を最適化するとともに、設計工数を効率的に削減します。

FOMgd とFOMossを損なわずに低いR DS(on)

より低い出力電荷

超低い逆回復充電(SuperSO8でQ rr = 26 nC)

動作温度175 °C

鉛フリーリードめっき

RoHS準拠

ドレインソースブレークダウン電圧150 V

最大ドレイン電流120 A

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