型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

RS品番:: 242-5824
メーカー型番:: IPB120N10S405ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:: 242-5824
メーカー型番:: IPB120N10S405ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	273A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	iPB
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 273A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ iPB
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 81W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPB120N10S405ATMA1

インフィニオンのMOSFETはD2PAKパッケージで、サーバー、電気通信、EV充電ステーションなどの大電力SMPSの共振トポロジに最適で、効率を大幅に向上させることができます。

Nチャンネル - 標準レベル - 強化モード

AEC Q101認定

MSL1 (最大260 °Cピークリフロー)

175 °C動作温度

100 %アバランシェテスト済み

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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